半导体激光器、集成光学激光器

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正 Y2002-63306-342 0307097气体源分子束外延生长1.26μm GaInNAsSb 单量子阱激光器=1.26μm GaInNAsSb-SQW Lasers grown bygas-source MBE[会,英]/Shimizu,H.& Kumada,K.//2001 IEEE International Conference on IndiumPhosphide and Related Materials.—342～345(E)Y2002-63306-473 0307098具有改进高温特性的1.3μm量子点激光器=1.3μm

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来源
《电子科技文摘》 |2003年第4期|P.15-15|共1页
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正文语种 CHI
中图分类半导体激光器;
关键词
半导体激光器; 集成光学; 单量子阱激光器; 分子束外延生长; 光纤激光器; 体源; 调制带宽; 拍频; 锁模; Shimizu;

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