多晶硅CVD HfO2栅层叠的时间相关介质击穿

机译：导致n +多晶硅/ HfO2栅堆叠中的费米能级钉扎的缺陷

机译：HfO2 高k栅绝缘体在准分子激光退火多晶硅TFT中的应用

机译：HfO2晶体管的多晶硅与TiN栅电极的物理和电气特性

机译：用多晶硅和金属栅电极确定0.8-1.2 nm EOT HfSiON栅介质击穿时间

机译：对二氧化硅膜的热化学气相沉积（CVD）和多晶硅膜的高密度等离子体CVD过程中颗粒形成和传输的研究。

机译：CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高

机译：HfO2 / SiO2和SiO2 MOS栅堆叠中载流子传输机制的温度（5.6-300K）相关性比较

机译：多晶硅多层结构CVD沉积和掺杂的光谱椭偏法表征

机译：CMOS薄膜晶体管，其制造方法以及有机发光显示装置，该有机发光显示装置具有层叠的具有顶栅构造的PMOS多晶硅薄膜晶体管和具有倒置交错的底栅构造的NMOS氧化物薄膜晶体管

机译：集成的时间相关的电介质击穿可靠性测试

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