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MittlSW; 桂翔;
不详;
P型; 沟道; MOSFET; 热载流子退化;
机译:具有高k电介质的短沟道MOSFET中沟道热载流子退化的综合研究
机译:具有凹陷LOCOS隔离结构的窄沟道和宽沟道n-MOSFET中的热载流子退化机制
机译:n沟道MOSFET的沟道热载流子退化的温度依赖性
机译:p-MOSFET在模拟操作中的热载流子退化:与沟道长度无关的漏极电导退化的相关性
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:应变MOSFET的沟道热载流子降解:器件级和纳米级组合方法
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化
机译:减小束缚沟道P型MOSFET中异常窄沟道效应的方法
机译:P型沟道MOSFET的制造方法
机译:估计MOS晶体管的热载流子寿命的方法以及热载流子退化的仿真
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