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王丹; 关艳霞;
沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁,沈阳,110178;
SJMOSFET; FS-IGBT; 超结; 场截止; 缓冲层;
机译:功率器件常识-几瓦或更高功率的高功率处理团队:将驱动器和功率器件合二为一的IC
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:Si和SiC功率器件的最新技术和挑战:支持新功率器件性能改进的最新工艺器件技术
机译:应用新材料和新结构的功率半导体器件的高频开关电源转换电路的基本技术
机译:具有新结构的纳米磁性器件中的自旋转移。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:使用SiC器件的高功率功率电子器件的高温功率模块技术的数值建模。
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:可以改善电流特性的新结构的大功率半导体器件及其制造方法
机译:功率半导体开关器件,功率转换器,集成电路组件,集成电路,功率电流开关方法,形成功率半导体开关器件的方法,功率转换方法,功率半导体开关器件封装方法以及形成功率晶体管的方法
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