强相关电子类材料实现超高密度存储器材料和原理研究是关键

摘要

@@ 最近,业内开始关注ReRAM(resistive RAM)的开发,它是一款利用器件阻抗值的变化来记录信息的非易失性存储器.2005年12月召开的半导体国际会议"2005IEDM"上,韩国三星电子、Spansion公司发布了最新的研究报告.Intel等其他一些企业也在进行ReRAM的开发.某ReRAM从业者表示:"ReRAM的单元结构、外围电路与采用相变化膜的非易失性存储器(PRAM)大致相同.因此,PRAM企业完全可以尝试开发ReRAM."