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王茂祥; 孙承休; 俞建华; 高中林;
东南大学电子工程系;
MIM; MIS; 隧道发光结; 发光器件; 结构;
机译:隧道结中的单分子波动:通过扫描隧道显微镜观察到的发光的研究
机译:具有低电阻InGaN隧道结的GaN基三结级联发光二极管
机译:通过偏离轴电子全全息术与结构,化学和光电子表征indaN / GaN蓝色发光二极管的MOCVD和混合GaN隧道结的静电电位映射。
机译:隧道MIS结中来自Si的可见热电子电致发光
机译:基于隧道结的紫外发光二极管
机译:分子电子等离激元:通过分子骨干刚度对分子隧道结的间歇性发光进行操作表征和控制(Adv。Sci。20/2019)
机译:启用隧道结的顶部发光UV LED中的增强型光提取
机译:发光隧道结的研究
机译:具有隧道结的发光器件和使用具有隧道结的发光器件和制造方法的发光器件制造相同的多色装置的方法
机译:具有隧道结和制造方法的发光器件,使用具有隧道结的发光器件和制造方法的发光器件的相同多色装置
机译:III族氮化物发光器件,例如发光二极管,包括在第一和第二导电类型的第一层之间的有源区,在第一和第二导电类型的第一和第二层之间的隧道结和触点
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