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程文芳; 盛柏桢;
南京电子器件研究所,江苏,南京,210016;
砷化镓; 微波/毫米波器件; 集成电路;
机译:具有铜金属化正面的低噪声放大器的微波砷化镓单片集成电路的设计-处理特征
机译:基于砷化镓的3〜4.5 GHz频率的微波移相器的单片集成电路
机译:微波相检查器的单片集成电路在砷化镓上频率3 ... 4,5 GHz
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:毫米波砷化铝铟/砷化铟镓高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片集成电路的设计和技术。
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:用于微波/毫米波应用的半绝缘砷化镓液体包裹复合和Czochralski生长。
机译:具有微波应用能力的自对准砷化镓/砷化铝镓集电极-异质结双极晶体管
机译:在低温下将烧结的陶瓷包一起用于集成微波-和毫米波-砷化镓-电路。
机译:低温zusammengebrannte陶瓷封装,用于集成微波和毫米波砷化镓电路。
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