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应用材料公司; 光掩模制版系统; 半导体; MEBES; 4700S;
机译:Selete的EULE掩模掩模缺陷减少技术扩展到EUVL掩模的光掩模缺陷检查和修复技术即使掩模尺寸为100 nm,也可以实现高精度的检查图像对比度
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:扫描型开发技术,可提高半导体光掩模的精度:支持先进半导体器件制造的光掩模图案的精度更高
机译:关键EUV光掩模工艺步骤的离子束处理:掩模毛坯沉积和光掩模吸收剂蚀刻
机译:激光诱导氧化锌合金薄膜,用于直接写入灰度光掩模
机译:使用软光掩模在亚微米级进行接触光刻
机译:采用双面(结构化)光掩模制作硅通孔制造的优化光刻工艺,用于掩模对准器光刻
机译:用于自动IC光掩模检测系统的实验评估的测试掩模。
机译:光掩模基板,光掩模坯料,光掩模,光掩模基板的制造方法,光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法
机译:光掩模,包括该光掩模的层压体,该光掩模的制造方法,使用该光掩模的图案形成装置以及使用该光掩模的图案形成方法
机译:用于从清洁介质中保持和保护具有光掩模的光掩模或光掩模的侧面的保持器,用于清洁具有细胞的光掩模或光掩模的方法以及用于打开和关闭保持器的装置
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