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CMOS带隙基准电压源的设计

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给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法,该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压.文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法.

著录项

来源
《电子元器件应用》 |2007年第8期|54-56,59|共4页
作者
闫新强; 张玉明; 林智;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071;

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正文语种 chi
中图分类独立电源技术（直接发电）;
关键词
CMOS模拟电路; 带隙基准电压源; 电压稳定性; 温度特性;

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