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一种采用CMOS 0.18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线

     

摘要

采用标准0.18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG (电磁带隙)结构的小型化片上天线.该片上天线由一根长1.6 mm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240 μm×340 μm EBG结构构成.分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试,结果表明该片上天线工作在20 GHz,具有小型化的性能,同时具备三次谐波抑制的功能.

著录项

  • 来源
    《电子元器件应用》|2012年第11期|60-62|共3页
  • 作者

    周洪; 贺龙;

  • 作者单位

    北方通用电子集团有限公司,陕西 西安710100;

    北方通用电子集团有限公司,陕西 西安710100;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    片上天线; CMOS; EBG;

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