一种塔台用高压宽脉冲GaN功放设计与实现

摘要

本文根据塔台用高压宽脉冲功放工作的特点,提出了一种高压宽脉冲功放的设计方法并设计了一款L波段高压宽脉冲GaN功率放大器。采用金属陶瓷管壳和PCB匹配电路相结合的方式,相较于传统的陶瓷匹配电路,有效的减少了趋附效应的影响。放大器在脉宽为10ms、占空比为30%脉冲调制信号输入,Vds=48V时,峰值输出功率>200W,功率增益为15dB,功率附加效率可达67%。