磁性半导体的理论研究

摘要

在磁性半导体的理论研究工作中，在氧化铟In2O3中掺杂过渡金属元素的研究最为广泛。理论上Fe掺杂In2O3磁性半导体后，具有室温铁磁性。在氧化铟中进行掺杂或引入氧空位可以提高载流子浓度，并且载流子浓度可以通过改变掺杂浓度或者样品制备时氧气压的大小来加以控制。