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吴佳宏; 屈新萍;
ASIC和系统国家重点实验室;
复旦大学微电子学系;
上海200433;
溶胶-凝胶法; MIZO薄膜; 薄膜晶体管;
机译:凹陷的沟道和/或掩埋的源极/漏极结构,用于提高具有高k栅极电介质的肖特基势垒源极/漏极晶体管的性能
机译:具有肖特基源极-漏极触点的全印刷p沟道有机薄膜晶体管中的电流扩散效应
机译:在聚酰亚胺衬底上具有肖特基势垒源极/漏极的柔性单晶Ge p沟道薄膜晶体管
机译:具有NiGe肖特基源极/漏极的高性能Poly-Ge薄膜晶体管
机译:用于神经形态应用的肖特基源极/漏极氢化非晶硅薄膜晶体管。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:以Cu / CuMg为源极/漏极金属的岛状非晶硅薄膜晶体管中肖特基漏电流的抑制
机译:在改进的性能研究集成工具(ImpRINT)中开发用户定义的压力源,用于在移动车辆中执行任务
机译:具有子栅极和肖特基源极/漏极的薄膜晶体管及其制造方法
机译:带有栅极和肖特基源/漏的薄膜晶体管及其制造方法
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