掺杂C_(60)薄膜的制备及光电特性

摘要

在电弧法制备的过程中添加氮气或Ｂ２Ｏ３ 粉末，制备了氮、硼替位式掺杂Ｃ６０ 。硼掺杂和氮掺杂Ｃ６０ 均显示明显的半导体导电特性，且室温电导率比未掺杂Ｃ６０ 薄膜提高１ ～２ 个量级。用共蒸发的方法制备出了硫掺杂Ｃ６０ 薄膜，其电导率～温度曲线中存在一个过渡区，过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性，这与掺入Ｃ６０ 薄膜中的硫杂质的存在状态有关。其室温电导率比掺杂前提高４个量级，光致发光也明显增强。另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂Ｃ６０ 薄膜的初步结果。