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高永辉; 徐守利; 银军; 赵夕彬; 陈欣华; 黄雒光; 崔玉兴;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT); 内匹配; 高功率; 高效率; P波段;
机译:S波段170W / 70%部分匹配的GaN HEMT高效大功率放大器:通过谐波处理实现GaN-on-Si器件的高效率
机译:用于L波段和X波段应用的基于GaN的分立功率器件的进展
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:X波段和Ku波段振荡器高功率传输电子效应器件的研制
机译:制造GAN基功率器件的方法和由此制造的GAN基功率器件
机译:形成GaN基功率器件的方法和由其形成的GaN基功率器件
机译:基于GaN功率器件的GaN电池充电器体系结构
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