SnO2纳米柱状阵列的微波水热法合成及表征

摘要

采用微波水热法,在ITO导电基底上合成出了SnO2纳米柱状阵列.经过扫描电子显微镜、X射线衍射表征发现微波水热法合成得到的SnO2纳米柱状阵列,其高度约为400 nm,组成阵列的柱状结构直径约为100nm.通过紫外漫反射光谱测试得出SnO2纳米柱状阵列的禁带宽度为3.25 eV,光致发光光谱显示在390nm、405 nm和425nm处分别存在较强发射峰.