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藤井岳志; 彭惠民;
无;
IGBT 平板型 器件设计 电气特性;
机译:使用4.5kV IGBT元件的高压直接变频器的开发
机译:4.5KV IGBT元件采用高压直变频开发
机译:15-20kV 4H-SiC IGBT的导通状态和开关性能的优化
机译:使用20kV碳化硅IGBT的高压降压转换器设计
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:大肠杆菌中4.5S RNA和Ffh蛋白的浓度:Ffh蛋白的稳定性取决于4.5S RNA的浓度。
机译:电力系统4.5kV IGBT的开发与优化
机译:用于sNs高压变换器调制器的下一代IGBT开关板开发
机译:成型旋转平键的方法和由该方法制得的基于旋转平板型材的旋转平键
机译:(2R,5S,13ar)-7.9-[-10-(2,4,6-三氟苯甲酰基)氨甲酰基)-2,3,4,5,7,9,13,13a-八面体-2.5-4.5:metapipirido [ 1,2]吡拉西诺[2,1-b] [1,3]草氮平-8-燕麦钠
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