基于Cu2O异质结薄膜光电特性的研究

摘要

Cu2O 是一种在极为重要的窄带隙 p 型半导体材料,带隙宽度为 2.0~2.4 eV。由于易于制备且具有良好的电学性能在光探测器, 太阳电池和催化等方面有极为广泛的应用。