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储明; 孙家讹; 陈军宁;
安徽大学电子科学与技术学院;
安徽合肥230039;
纳米; MOSFET; 短沟道; 源漏寄生电阻; 电阻模型;
机译:SiN侧壁工艺增加了浅p / sup + /扩展层中的寄生电阻,并且通过亚0.25- / spl mu / m pMOSFET的Ge预非晶化提高了寄生电阻
机译:纳米级MOSFET边缘场感应寄生电容的完整分析模型
机译:宽度缩放和寄生串联电阻对硅纳米MOSFET性能的影响
机译:全方位栅圆柱形纳米线MOSFET的电容和电阻的预测模型,用于寄生设计优化
机译:亚微米MOSFET的寄生电阻建模和提取
机译:纳米线和纳米带生物传感器中的寄生电阻效应研究
机译:在硅上的III-V垂直纳米线MOSFET上集成了低功率电阻存储器
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发
机译:电阻热分析模型,电阻热分析仪,热分析程序和模型生成程序
机译:寄生电阻和寄生电容的延迟模型发生器
机译:电阻器热分析模型及其热分析装置,热分析计划和模型生成计划
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