S波段窄带低噪声放大器设计

摘要

在TSMC 0.35um RF SiGe工艺上，完成了共源共栅结构两级S波段窄带LNA设计，并制作了版图且版图面积0.44mm2。窄带LNA采用2V电压供电。第一级偏置电流是3.6mA，第二级偏置电流是2.7mA。仿真结果为：在3GHz左右， S11参数小于-20dB，S22参数小于-10dB，噪声系数小于2.5dB，增益大于40dB。