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胡翔; 李东升; 程培红; 袁志钟; 杨德仁;
浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程系,浙江,杭州,310027;
光致荧光; 荧光寿命; 铽; 表面等离激元共振;
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:氢稀释对等离子体增强CVD法嵌入氮化硅薄膜中的硅纳米晶生长的影响
机译:氢稀释对等离子体增强CVD氮化硅薄膜中嵌入的硅纳米晶生长的影响
机译:通过微波激发氮等离子体氮化生长的氮氧氮化硅薄膜中的异常漏电流。
机译:氮化硅薄膜中存在的电荷及其对硅太阳能电池效率的影响的研究
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:等离子体沉积的薄氮化硅薄膜在700℃的温度下的粘附,摩擦和磨损
机译:等离子体增强的化学气相沉积法,从环状有机硅氮前体中氮化硅薄膜
机译:半导体器件,特别是MISFET产品-使用氮化硅薄膜。通过直接氮化以防止热处理过程中离子注入的杂质迁移
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