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刘汉法; 张化福; 类成新; 袁长坤;
山东理工大学,物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049;
ZnO; Zr; 透明导电薄膜; 磁控溅射; 薄膜厚度; 光电性能;
机译:制备条件对ZnO:Ge透明导电薄膜的光电性能的影响,由脉冲激光沉积制造
机译:通过钛掺杂改善镓ZnO透明导电薄膜的光电性能
机译:掺杂Ga的ZnO透明导电薄膜上生长的ZnO纳米线的表征:掺杂Ga的ZnO薄膜的沉积温度的影响
机译:(P73-P078)使用RF溅射法形成的Al掺杂ZnO透明导电薄膜的影响对外退火的影响
机译:掺杂剂分布对掺锡氧化铟纳米晶体和纳米晶体薄膜光电性能的影响。
机译:添加锌和真空退火时间对旋涂低成本1 at%Ga–ZnO薄膜透明导电薄膜性能的影响
机译:ZnO:Al / Ag / ZnO:Al和ZrO2 / Ag / ZrO2多层堆叠的结构,光电性能
机译:采用射频溅射法制备高性能镉铟透明导电薄膜
机译:结晶Zno系统的透明导电薄膜的成膜方法,结晶Zno系统的透明导电薄膜和电阻膜型触摸屏
机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
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