重性抑郁障碍病人治疗前后中性面孔加工的事件相关电位N 170对比研究

摘要

目的 研究重性抑郁障碍病人治疗前后在中性面孔刺激下事件相关电位N170波幅和潜伏期的差异,分析疾病严重程度与N170波幅和潜伏期的相关性.方法 选取18～55岁重性抑郁障碍病人28例(病人组)和健康对照者22名(对照组),采集研究对象在呈现中性面孔刺激时的事件相关电位N170与VPP,对病人采用选择性5-羟色胺再摄取抑制剂(SSRIS)类药物治疗,病人组治疗2个月后再次采集中性面孔刺激下的N170与VPP潜伏期与波幅,并采用汉密尔顿抑郁量表(HAMD)评估抑郁症状的严重程度.结果 与对照组相比,病人组N170的潜伏期在P7、P8、PO7、PO8、FCZ、CZ电极点上差异有统计学意义(P<0.05),波幅在P7、P8、PO7、PO8、FCZ、CZ电极点上差异有统计学意义(P<0.05).重性抑郁障碍病人治疗后与治疗前相比,N170潜伏期在P7、PO7、CZ电极点上差异有统计学意义(P<0.05),波幅在P7、P8、PO7、PO8、FCZ、CZ电极点上差异有统计学意义(P<0.05).病人组HAMD评分与P7、PO7、PO8、CZ、FCZ电极点的N170潜伏期呈正相关(P<0.05),与P7电极点的N170波幅呈正相关(P<0.05),与CZ、FCZ电极点的VPP波幅呈负相关(P<0.05).结论 重性抑郁障碍病人对中性面孔刺激的早期认知加工受损,N170的潜伏期和VPP的波幅可能作为重性抑郁障碍的潜在生物标记物及疗效指标.