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张国宾; 申开盛; 王朝林; 易忠; 孟立飞; 刘肃;
兰州大学微电子研究所,兰州,730000;
中国空间技术研究所,北京,100094;
磁场; 二极管; 反向饱和电流; I-V特性;
机译:在室温下,两个二极管模型和照明对Au / PVA(Bi掺杂)/ n-Si光电二极管的正向和反向偏置I-V和C-V特性的影响
机译:在宽温度范围内使用I-V特性分析Au / SI _3N _4 / n-Si(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管的串联电阻和界面态035802
机译:预氧化处理对Si / SiO_2 / AI MIS二极管的I-V和C-V特性的影响
机译:堆垛层错对(1120)面上制造的4H-SiC肖特基势垒二极管I-V特性的影响
机译:具有多个桥联配体的选定三钌簇中电子转移和氢活化的机理。第一部分。三氢三钌(亚烷基)簇中自由基反应性的减弱。通过歧化路径分解47电子簇自由基的电化学和动力学。第二部分通过(mu-hydrogen)(2)钌(3)(一氧化碳)(8)(mu-phosphorus()的金属-金属键上氢的可逆氧化加成反应的动力学和机理激活过渡金属中心的分子氢t-BU)(2))(2)。
机译:高效I-V特性估计的近似单二极管光伏模型
机译:从I-V特性提取p-n二极管串联电阻的新方法及其在二极管基极低温导通分析中的应用
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:I-V特性测量装置,I-V特性测量方法和用于I-V特性测量装置的程序
机译:太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及录制有I-V特性测量设备的程序的记录介质
机译:用于太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及记录有用于I-V特性测量设备的程序的记录介质
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