紫外光诱导哈茨木霉产生腐霉利抗性菌株的研究

摘要

通过紫外光照射结合使用含药培养基培养得到了3个哈茨木霉腐霉利抗性突变菌株.抗性菌株与亲本菌株相比较,其抗药性提高100倍以上,与异菌脲、菌核净和甲基立枯磷存在交互抗性.抗性菌株在无药培养基上连续转移培养8次,抗性程度未见下降.在适合度上,抗性菌株的菌丝生长速率有所下降,而在产孢能力、活体抑菌能力上有的抗性菌株要高于亲本菌株.3个抗性菌株均保持了对灰霉病菌的拮抗能力.