含氧空位单斜相HfO2电子结构和光学性质的第一性原理分析

摘要

二氧化铪（HfO2）是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，在微电子领域得到了广泛的关注。在常温常压条件下，其稳定结构是单斜相的HfO2。目前，相关学者对HfO2的研究主要集中在电学和光学方面，可以通过基于密度泛函理论的平藏波超软赝势方式，计算出含氧空位单斜相HfO2的电子结构及光学性质原理，由于氧空位存在缺陷，使得HfO2带隙中出现了缺陷态，得到了HfO2的分波态密度与总态密度。带隙校正后，得出了HfO2光学线性响应函数随光子能量变化的关系。