同位素靶管中子参数测量实验研究

摘要

同位素靶管辐照位置的热中子注量率、镉比以及通量压低因子是靶管发热计算和产额计算及验证靶管设计的指标,也是了解在辐照条件下其性能的依据。描述了采用活化箔法测量这些中子参数的原理和方法。实验结果表明:当靶管通量压低因子为0.3866,堆功率为2kW时,靶管内水隙热中子注量率为9.468×109(cm-2/s)、镉比为2.100;靶管外壁热中子注量率为6.170×109(cm-2/s)、镉比为1.753。