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二极管; 第三代; 肖特; 碳化硅; 性能; SiC;
机译:英飞凌推出第六代C00-SiC肖特基二极管650V
机译:2-off碳化硅衬底上的AlGaN / GaN Ni / Au-肖特基二极管的性能
机译:寄生电感对碳化硅肖特基势垒二极管性能的影响
机译:使用多个金属合金触点的改进的4H-碳化硅肖特基二极管
机译:碳化硅肖特基二极管和p-i-n二极管中缺陷电学特性的研究。
机译:D-T聚变中子检测中碳化硅肖特基二极管检测器的抗辐射性
机译:电子辐射剂量对半波整流和碳化硅肖特基二极管性能的影响
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量
机译:碳化硅肖特基二极管包括形成在包含氢-碳化硅的碳化硅外延体的硅面上的肖特基金属势垒(包括钛)。
机译:碳化硅阻挡层-肖特基二极管,在碳化硅层的区域中具有深度和距离的沟槽,使得在肖特基-过渡-边界表面处的电场强度等于或小于特定值
机译:半导体器件肖特基二极管,具有在n型碳化硅衬底上形成的肖特基电极,该肖特基电极电连接到P型阱区域上方的键合线
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