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郝洪荣;
皖西学院材料与化工学院,安徽六安237012;
YBCO膜; 缓冲层(buffer layer); 化学溶液法; 取向;
机译:化学溶液沉积法对Al 2 sub> O 3 sub>和YSZ衬底上CuAlO 2 sub>薄膜的结构,光学和电学性质的比较研究
机译:金属有机化学气相沉积法在氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)和YSZ缓冲的Si衬底上生长外延钌酸铋烧绿石薄膜
机译:化学溶液沉积法在Pt / TiO_x / SiO_2 / Si衬底上制备三元(K_(0.5)Na_(0.5))Nb_(0.95)O_3-BaTiO_3-BaZrO_3薄膜的压电,介电和结构性质
机译:通过电化学沉积在水溶液中通过电化学沉积制备YSZ,薄膜
机译:通过燃烧化学气相沉积法生长的YSZ-氧化铝陶瓷薄膜的纳米压痕。
机译:化学溶液沉积法在硅上制备大孔外延石英薄膜
机译:用化学溶液沉积法在mgO单晶衬底上制备双铜酸盐薄膜
机译:脉冲激光沉积制备mg2si薄膜的电化学研究
机译:Si Si Ni化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
机译:化学气相沉积法在SI基体上制备镍薄膜的方法及在SI基体上制备硅化物薄膜的方法
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