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陆裕东; 王歆; 庄志强; 刘保岭;
华南理工大学材料与工程学院,特种功能材料教育部重点实验室,广州,510640;
信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,广州,510610;
铅酸钡; 缺陷化学; 非化学计量比; 受主;
机译:Heitler-London模型用于掺杂半导体中的受主-受主相互作用
机译:非化学计量和氧掺杂的ZnSe晶体中缺陷系统的晶体化学模型
机译:缺陷性非化学计量和掺杂氧的ZnSe晶体的晶体化学模型
机译:扩展的“五流”模型,用于在超浅π型结的产生过程中使施主和受主掺杂剂在硅中扩散
机译:未掺杂和掺杂的二氧化铈和锶掺杂的镧钴氧化铁钴氧导电材料中的缺陷平衡和化学膨胀及其在固态电化学电池中的应用。
机译:骨区域化学对电导率的影响n掺杂施主-受主的电荷密度和极化子结构聚合物
机译:受主掺杂铅中缺陷偶极子的形成与转换 钛酸盐:基于第一性原理计算的动力学模型
机译:受晶体缺陷影响的晶体性质。
机译:通过共掺杂施主和受主杂质来调整III-V化合物半导体中掺杂浓度的方法
机译:通过共掺杂施主和受主杂质来调节III-V族化合物半导体中掺杂浓度的方法
机译:一种通过掺杂供体和受主掺杂的熔体的再结晶生产具有p-n层的半导体材料的方法。
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