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机译:粒度小于10微米的Ba1-xCaxTi0.9Zr0.1O3(x = 0.10和x = 0.15)压电陶瓷,采用减少的热处理工艺
机译:一位年轻的手工艺大师开创了辉煌的辉煌:五座大班
机译:通过两步工艺制造数百微米的三维单晶金刚石通道以及高纵横比
机译:V波段功率放大器MMIC展示利用生产的低功率坍落度特性释放了0.15微米GaAs PHEMT工艺
机译:0.15微米FlexFET晶体管的实验和仿真结果。
机译:导电50微米长碳纳米管桥的介电泳形成的分步沉积工艺
机译:采用低成本高容量0.15微米光刻pHEmT工艺的40 GHz功率放大器
机译:0.15微米氮化镓(GaN)微波集成电路设计提交给TriQuint半导体进行制造。
机译:适用于0.15微米cmos技术的新型低缺陷显影剂冲洗工艺
机译:制备粒径为0.02微米至0.15微米的Fe2O3粉末的方法
机译:平均颗粒直径为0.15-1.0微米的颗粒及其组成的预热剂
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