碳纳米管场发射电流饱和特性的研究进展

摘要

从1995年碳纳米管电子场发射实验研究的首次报道到现在[1],因为结构独特,电学特性突出,尺寸微小以及长径比大,碳纳米管被认为是最具应用潜力和研究价值的场发射电子源之一[2]。同时,在较高场强下碳纳米管场发射电流表现出自饱和特性,这对于场发射显示技术是可遇不可求的优异特性,能够进一步降低功耗。本文主要从碳纳米管场发射的电流饱和特性入手,介绍了场解吸、接触电阻、空间电荷效应、临近碳纳米管间的互相作用和非金属局域态等五种可能导致场发射电流饱和的物理机理,对于分析和改进碳纳米管场发射器件性能具有重要意义。