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IR2101带有欠压封锁的半桥MOSFET驱动器

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本文介绍了美国IR公司专为驱动半桥逆变器同桥臂的两个MOSFET或IGBT而生产的高压高速驱动器,文中讨论了其引脚排列、各引脚的名称、功能和用法、主要设计特点和参数,剖析了它的内部结构及工作原理,探讨了它的应用技术,并给出了应用实例.

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来源
《集成电路应用》 |2002年第5期|64-65,58|共3页
作者
张奇志;
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作者单位

西安石油学院,西安,710065;

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正文语种 chi
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