用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发

摘要

在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法.如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜.我们对相关机理进行了回顾,根据不同的淀积和工艺处理条件的组合,从而得到了张应力大于1.6 GPa和压应力大于2.9GPa的氮化硅薄膜覆盖.