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Ruth DeJule;
《Semiconductor International》编辑部;
机译:双金属栅极技术,具有金属插入的全硅化物叠层和富镍的全硅化物栅电极,使用单个富镍的全硅化物相用于规模化的高k互补金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:N / sup + // P / sup + /多硅化物栅CMOS的技术局限性是由于硅化物/多晶硅层中的横向掺杂剂扩散
机译:使用N掺杂的Ni和Ni叠层结构的新型Ni锗硅化物技术用于纳米CMOS应用
机译:半导体芯片叠层结构的优化设计研究
机译:LMS编程方案和浮栅技术支持的微调和低压火焰检测传感器
机译:用于半导体器件的高介电常数栅绝缘膜和全硅化物金属栅电极的研究
机译:用于红外焦平面阵列的铂硅化物/ p型硅和铱硅化物/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:具有导电硅化物段的栅叠层结构,该硅化物段具有从其侧壁突出的基本上蚀刻的氮化物和/或氧氮化物缺陷
机译:包含金属硅化物膜的半导体器件,用于覆盖栅电极和源漏扩散层,并且在栅上硅化物的制造方法比源漏膜厚
机译:硅化物纳米粉的形成方法及叠层结构的硅化物纳米粉的层状结构
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