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自对准阻挡层提高互连可靠性

         

摘要

一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层,作为低成本的简单方法,可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。

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    《集成电路应用》 |2008年第7期|33-35|共3页
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  • 正文语种 chi
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