半导体制程工艺中高温氮气退火缺陷的产生及预防

摘要

在半导体器件尺寸不断缩小的背景下,对减少生产过程中所产生的各种缺陷也提出了愈来愈高的要求.高温氮气退火工艺被广泛应用于多种器件的制作工艺中,通过分析缺陷的现象、解析缺陷产生的机理,列举出容易产生缺陷的几种硅片表面状况.常用的预防方法是在升温时通入一定比例的氧气,在硅晶体表面生成氧化硅作为保护层,此方法适用于新产品开发,但对于量产品来说,这种方法可能会有些局限性.相比而言采用低温氧化的方法预防缺陷的产生更有优势,并经实验表明此方法能显著减少对器件电学参数的影响,简单易用、具有可复制性,适用于解决半导体制造中的同类问题.