用于物联网IoT的802.11bgn频段低噪声放大器

摘要

针对物联网IoT的小面积低噪声的需求,相对传统共源共栅结构的低噪声放大器,提出了一种新型低噪声放大器.核心电路没有采用传统的源级电感负反馈的共源共栅结构,通过去除片上电感的方法,节省了77％的芯片面积.芯片采用IBM 0.18 μ m SiGe BiCMOS工艺设计制造.测试表明,电源电压在2.5 V情况下,在2.4 GHz处能够提供20 dB的前向增益,噪声系数为1.8dB,输入和输出匹配都小于-16 dB,1 dB压缩点为-15 dBm,消耗电流为3.6 mA,而芯片面积仅为0.45 mm×0.5 mm.