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祁楠; 李国林;
清华大学微电子学研究所,北京100084;
清华大学电子工程系,北京100084;
压控振荡器; 相位噪声; 功耗; 正交相位输出振荡器;
机译:低相位噪声和宽频率范围压控振荡器的优化设计方法
机译:新型低相位噪声毫米波正交压控振荡器的设计
机译:具有Colpitts拓扑的超低相位噪声CMOS LC正交压控振荡器
机译:一个17.5 dBm输出功率的11.2%DC-RF效率低相位噪声CMOS正交压控振荡器
机译:CMOS技术中低相位噪声压控振荡器(VCO)的比较研究。
机译:用于MICS收发器的低功耗低相位噪声振荡器
机译:具有高调谐线性度和低相位噪声的MMIC GaN HEMT压控振荡器
机译:低相位噪声,高功率(370 mW)外腔半导体激光器的表征
机译:包括微带安装的同轴介电谐振器的低相位噪声装置,以及在这种装置中,特别是在压控振荡器中降低相位噪声的方法
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