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王丹丹; 王军; 王林;
西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010;
恒功耗; 低噪声放大器; 噪声系数; 优化方法;
机译:2.1 dB噪声系数5.2 GHz CMOS低噪声放大器,采用晶圆级集成无源器件技术,DC功耗为10 mW
机译:具有大尺寸晶体管的超低噪声系数和高增益KU频段CMOS低噪声放大器
机译:0.18μmCMOS的亚2 dB噪声系数线性宽带低噪声放大器
机译:采用90nm CMOS的60GHz高增益,低功耗,3.7dB噪声系数低噪声放大器
机译:采用65nm CMOS技术的基于时间的低功耗,低失调5位1 Gs / S闪存ADC设计
机译:用于唤醒系统的基于低功耗CMOS-MoS2晶体管的神经形态混合架构
机译:超低功耗0.45 MW 2.4 GHz CMOS低噪声放大器,用于无线传感器网络使用0.13-M技术
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。
机译:基于超低功耗CMOS的生物传感器电路
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