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黄晓琴;
无;
二氧化硅; 界面陷井; 电荷捕获;
机译:SiO2纳米阵列驻极体的电荷分布和稳定性
机译:包含SiO2 / Si3N4界面过渡层的p沟道氧化硅-氮化物-氧化物-硅存储器件中电荷俘获特性的表征
机译:使用多孔氧化铝上硅模板技术对Si表面和Si / SiO2界面进行纳米结构化。 Si / SiO2界面的电气特性
机译:使用转移矩阵法通过HFO2 / SiO2纳米厚层模拟通过HFO2 / SiO2纳米厚层的MOS电容器的电荷捕获电荷
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:影响驻极体滤波器电荷衰减的材料特性及其对过滤性能的影响
机译:通过正电子an没光谱研究了GePb1的电荷跃迁能级位于SiO2 / GexSi1-x / SiO2异质结构的界面
机译:用扫描电子显微镜高分辨率检测siO2中的捕获电子电荷
机译:对制造驻极体sio2和获得的驻极体的方法进行了改进。
机译:带纳米颗粒(SI / SIO2核/壳)的混合介电非挥发性记忆体作为电荷捕获层
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