GaAs化合物半导体光电导型探测器

摘要

本课题研发的GaAs化合物半导体光电导型探测器可用于脉冲辐射束的探测。化合物半导体GaAs、InP光电导探测器加上恒定电压，在脉冲X、γ射线束的照射下，光电导探测器的电阻下降，而在电极输出端输出正比于电阻变化的电流脉冲信号。本实验采用面垒工艺技术制备GaAs光电导探测器。