一种低电压高精度CMOS带隙基准设计

摘要

设计了一种标准CMOS工艺下的低电压带隙基准电路,该电路使用了温度的二阶曲率补偿技术,使输出电压达到了较低的温度系数.HSPICE的仿真结果表明,该电路在-20℃～120℃的温度范围内,输出电压变化为500uV,在1.0V～1.8V的电源电压范围内,输出电压为284.6±0.3 mV,电压抑制比约为60dB,最低工作电压接近于1V,在1.3V的电源电压时,总共耗为5uW,适合于低电压低功耗领域的应用.