第3代半导体互连材料概述

摘要

以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第3代半导体材料，是继以硅（Si）基半导体为代表的第1代半导体材料和以砷化镓（GaAs）和锑化铟（InSb）为代表的第2代半导体材料之后，在近些年发展起来的新型半导体材料。与Si相比，GaN和SiC均具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的载流子迁移率等特点.