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基于CMOS工艺的并联双反馈跨阻放大器的设计与实现

     

摘要

针对传统调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器在带宽和增益方面的不足,提出1种可拓展带宽和优化平坦度的并联双反馈结构的全差分跨阻放大器.另外,采用反相器替代共源极辅助放大器来提高增益,减小等效输入噪声电流.输出缓冲级的输入端引入无源电感形成π型网络,以抵消其寄生电容.基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,制备出所设计的跨阻放大器芯片,并将其压焊在FR-4基材的印刷电路板上.测试结果表明,差分跨阻放大器的-3 dB带宽为3.5 GHz,总跨阻增益达60 dBΩ,工作频带内的群延时波动小于25 ps,平均等效输入噪声电流密度为18.72 pA/√Hz.在1.8 V工作电压下,芯片功耗为32.4 mW,裸片面积为800 μm×600 μm.

著录项

  • 来源
    《南开大学学报(自然科学版)》|2018年第4期|57-62|共6页
  • 作者单位

    天津大学微电子学院,天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072;

    天津大学微电子学院,天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072;

    天津大学微电子学院,天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072;

    天津大学微电子学院,天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072;

    天津大学微电子学院,天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072;

    桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室,广西桂林541004;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 场效应型;
  • 关键词

    跨阻放大器; 调节型共源共栅结构; 并联双反馈; 反相器; CMOS;

  • 入库时间 2024-01-27 02:10:35

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