P3HT修饰一维有序壳核式CdS/ZnO纳米棒阵列复合膜的光电化学性能

摘要

10.3866/PKU.WHXB201209051%　　采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列，在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构，并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量散射X射线(EDX)等表征手段证实了该结构的形成.以此纳米结构薄膜为光阳极组装新型半导体敏化太阳电池，研究了CdS纳米晶膜的厚度和P3HT薄膜的沉积对电池光伏性能的影响，初步探讨了电荷在电池结构中的传输机理，结果表明， CdS纳米晶膜和P3HT薄膜的沉积有效地拓宽了光阳极的光吸收范围，实验中电池的光电转换效率最高达到1.08%.