分子结拉伸与界面识别:破解4,4′-二吡啶分子结拉伸过程中高低电导之谜

摘要

4,4′-二吡啶分子结在拉伸过程中呈现出独特的高低电导现象,是分子电子学近十几年研究中的未解之谜.根据实验测量过程以及所采用的技术手段,发展了基于第一性原理计算的分子结绝热拉伸模拟方法,对4,4′-二吡啶分子结的拉伸过程进行了模拟计算.并利用一维透射结合三维修正近似(OTCTCA)方法计算了拉伸过程中体系电导的变化,成功破解了4,4′-二吡啶分子结在拉伸过程中的高低电导之谜.结果显示,在4,4′-二吡啶分子结的拉伸过程中,分子末端的氮原子很容易吸附到探针电极的第二层金原子上,并且导致分子对尖端金原子产生特有的侧向推动作用,将探针尖端金原子推向一侧,从而在拉伸过程中出现高电导平台.进一步拉伸分子结,分子上端氮原子移动并吸附到探针尖端金原子上,同时尖端金原子重新回到原来的晶格位置上.体系电导也因此降低大约5—8倍,形成低电导平台.根据计算结果,4,4′-二吡啶分子结双电导平台的出现同时表明基底电极很容易存在表面金原子,且只有分子吸附到表面金原子上才会出现高低电导现象.可见,利用分子结拉伸过程中测量到的电导曲线并借助理论计算可以有效识别分子结界面结构.另外,对4,4′-二吡啶分子结高低电导现象物理过程和内在物理机制的破译,为更好利用含吡啶末端分子构建分子开关、分子存储器、分子传感器等功能分子器件提供了重要技术信息与依据.