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王斌; 张鹤鸣; 胡辉勇; 张玉明; 宋建军; 周春宇; 李妤晨;
西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安710071;
应变; SiGe; pMOSFET; 栅电容特性; 台阶效应; 沟道掺杂;
机译:SiGe合金与接触刻蚀停止层应力集成在一起的纳米级Si P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件的应变工程
机译:Ge含量对应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管闪烁噪声行为的影响
机译:Si和Ge p型双栅金属氧化物半导体场效应晶体管中单轴应变的影响
机译:应变Si / SiGe金属氧化物半导体结构的直接隧道栅电流
机译:应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
机译:Sub-20制造过程中的方差减少用于垂直栅全能金属氧化物半导体的nm Si圆柱纳米柱场效应晶体管
机译:在siâ,â,
机译:热压n型siGe / Gap和p型siGe / B热电材料的优化
机译:高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
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