Fe/Cr多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

摘要

用真空蒸镀方法制备了「Ｆｅ／Ｃｒ」，「Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ」和「Ｆｅ／Ｓｉ」多层膜，研究了Ｃｒ层，Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响。Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡，磁电阻值为１４．６％，在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几。