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射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移

         

摘要

利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜.通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性.这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光,其峰位会随氧流量的减少而发生红移.从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2004年第3期|867-870|共4页
  • 作者单位

    苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006;

    苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006;

    苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006;

    苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    ZnO薄膜; 光致发光; 退火; 蓝光发射;

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